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在(zài)高技術領域得(de)到廣泛的應用(yong)
在電工領域，由(yóu)于其優異的耐(nài)熱性和耐輻射(shè)性，經常用作輻(fú)射環境下的耐(nài)高溫漆包線漆(qi)。在電子射線輻(fú)射的環境下，被(bei)輻射的聚酞亞(ya)胺漆包線在1.XlO。rad時(shí)幾乎沒有劣化(huà)，擊穿電壓沒有(yǒu)下降，而耐磨耗(hao)性反而略有升(shēng)高。在射線輻射(she)的場合，被輻射(she)漆包線的耐輻(fu)射順序爲:聚酰(xiān)亞胺>聚酯亞胺(àn)> 聚酯> 聚酰胺亞(yà)胺。聚酰亞胺薄(bao)膜的耐輻射性(xìng)是塑料薄膜中(zhōng)最好的。經射線(xian)輻射後，當輻射(shè)劑量達10。rad時，材料(liào)的拉伸強度下(xia)降約25 9／5～3O 9／6，伸長率下(xia)降約45 ～ 5O 9／6，彈性模量(liang)隻損失5 9／6，體積電(dian)阻率、介電常數(shù)和損耗因數幾(jǐ)乎沒有改變。在(zài)低溫下，聚酰亞(yà)胺材料具有良(liáng)好的機械和電(dian)性能，薄膜(O．05lmm)在一(yī)96℃ 的伸長率保持(chi)率(與室溫比較(jiao))約爲35 ～ 4O ，拉伸強度(dù)和彈性模量提(ti)高約1．3倍。在液氮(dan)溫度下，材料的(de)體積電阻率比(bǐ)室溫時高，約爲(wei)2×1015歐姆。介電常數(shù)在室溫至4K的整(zheng)個溫度範圍内(nèi)變化很小， 約在(zài)3.0～3.2之間。薄膜材料(liao)(O.O03mm)的擊穿電壓随(suí)低溫下降的變(biàn)化很小。與室溫(wēn)下相比，液氮溫(wēn)度下電氣強度(du)下降約lO%,薄膜材(cái)料(100)在室溫下空(kōng)氣中的交流電(diàn)氣強度約爲3×102MV／m，液(ye)氦溫度下爲2×102MV／m。
在(zài)半導體及微電(diàn)子工業上的應(ying)用(聚酰亞胺薄(bao)膜)
(2)粒子遮擋膜(mó):随着集成電路(lù)密度和芯片尺(chǐ)寸的不斷增大(dà)，其抗輻射的性(xìng)能也更顯重要(yao)。高純度的聚酰(xiān)亞胺塗層膜是(shì)一種有效的耐(nài)輻射和抗粒子(zǐ)的遮擋材料。在(zai)元器件外殼的(de)鈍化膜上塗覆(fù)50一100單位的射線(xian)遮擋層可防止(zhǐ)由微量鈾和牡(mu)等釋放的射線(xiàn)而造成的存儲(chǔ)器錯誤。當然，聚(jù)酰亞胺塗覆樹(shù)脂中含鈾物質(zhì)的含量也要很(hěn)低，用于256kDRAM的樹脂(zhi)要求鈾的含量(liàng)低于0.1pph。另外，聚酰(xian)亞胺優良的機(jī)械性可防止芯(xin)片在後續的封(feng)裝過程中破裂(liè)。
(3)微電子器件的(de)鈍化層和緩沖(chòng)内塗層:聚酰亞(yà)胺薄膜作爲鈍(dun)化層和緩沖保(bao)護層在微電子(zi)工業上應用非(fei)常廣泛。PI塗層可(kě)有效地阻滞電(dian)子遷移、防止腐(fu)蝕。PI層保護的元(yuan)器件具有很低(dī)的漏電流，可增(zeng)加器件的機械(xiè)性能，防止化學(xué)腐蝕，也可有效(xiào)地增加元器件(jiàn)的抗潮濕能力(li)。PI薄膜具有緩沖(chong)功能，可有效地(di)降低由于熱應(yīng)力引起的電路(lu)崩裂斷路，減少(shǎo)元器件在後續(xu)的加工、封裝和(he)後處理過程中(zhong)的損傷。雖然聚(ju)酰亞胺塗層可(kě)有效避免塑封(feng)器件的崩裂，但(dàn)效果與使用的(de)聚酰亞胺薄膜(mo)的性能密切相(xiàng)關。一般地，具有(yǒu)良好粘接性能(neng)，玻璃化轉變溫(wēn)度高于焊接溫(wen)度，低吸水率的(de)聚酰亞胺是理(lǐ)想的防止器件(jian)崩裂的内塗材(cai)料。